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福建南平工频高压局放试验装置 介质内单个气泡在交流电压下的局部放电过程U(t)一一外施交流电压Uc(t)一一气泡不击穿时在气泡上的电压Uc’(t)一一有局部放电时气泡上的实际电压Vc一一气泡的击穿电压Y r一一气泡的残余电压 Us—局部放电起始电压(瞬时值)Ur一一与气泡残余电压v r对应的外施电压Ir一一气泡中的放电电流电极间总电容Cx=Ca+(Cb×Cc)/(Cb+Cc)=Ca电极间施加交流电压 u(t)时,气泡电容Cc上对应的电压为Uc(t)。如图2—1所示,此时的Uc(t)所代表的是气泡理想状态下的电压(既气泡不发生击穿)。Uc(t)=U(t)×Cb/Cc+Cb外施电压U(t)上升时,气泡上电压Uc(t)也上升,当U(t)上升到Us时,气泡上电压Uc达到气泡击穿电压,气泡击穿,产生大量的正、负离子,在电场作用下各自迁移到气泡上下壁,形成空间电菏,建立反电场,削弱了气泡内的总电场强度,使放电熄灭,气泡又恢复绝缘性能。这样的一次放电持续时间是极短暂的,对一般的空气气泡来说,大约只有几个毫微秒(10的负8次方到10的负9次方秒)。所以电压Uc(t)几乎瞬间地从Vc降到Vr,Vr是残余电压;而气泡上电压Uc‘(t)将随U(t)的增大而继续由Vr升高到Vc时,气泡再—次击穿,发生又—次局部放电,但此时相应的外施电压比Us小,为(Us-Ur),这是因为气泡上有残余电压Vr的内电场作用的结果。Vr是与气泡残余电压Yr相应的外施电压,如此反复上述过程,即外施电压每增加(Us-Ur),就产生一次局部放电.直到前—次放电熄灭后,Uc’(t)上升到峰值时共增量不足以达Vc(相当于外施电压的增量Δ比(Us-Ur)小)为止。



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福建南平工频高压局放试验装置 抗干扰措施和局部放电图谱简介对于局部放电实验我们怕的就是干扰,下面简单介绍一下实验中可能遇到的干扰以及抗干扰的方法:(一)测量的干扰分类干扰有来自电网的和来自空间的。按表现形式分又分为固定的和移动的。主要的干扰源有以下一些:①悬浮电位物体放电,通过对地杂散电容耦合②外部电晕③可控硅元件在邻近运行④继电器,接触器,辉光管等物品⑤接触不良⑥无线电干扰⑦荧光灯干扰⑧电动机干扰⑨中高频工业设备(二)抗干扰方法采用带调压器,隔离变压器和滤波器的控制电源设置屏蔽室,可只屏蔽试验回路部分可靠的单点接地,将试验回路系统设计成单点接地结构,接地电阻要小,接地点要与一般试验室的地网及电力网中线分开。采用高压滤波器用平衡法或桥式试验电路利用时间窗,使固定相位干扰处于亮窗之外采用较窄频带,或用频带躲开干扰大的频率范围在高压端加装高压屏蔽罩或半导体橡胶帽以防电晕干扰试验电路远离周围物体,尤其是悬浮的金属固体!(三)初做实验者对波形辨认还是有一定困难的,下面就简单介绍一 放电类型和干扰的初步辩认:1. 典型的内部气泡放电的波形特点:(图 5—01)A.放电主要显示在试验电压由零升到峰值的两个椭圆象限内。B.在起始电压Ui时,放电通常发生在峰值附近,试验电压超过Ui时,放电向零相位延伸。C.两个相反半周上放电次数和幅值大致相同(相差至3:1)。D.放电波形可辩。E.q与试验电压关系不大,但放电重复率n随试验电压上升而加大。F.局部放电起始电压Ui和熄灭电压Ue基本相等。G.放电量q与时间关系不大。H.如果放电量随试验电压上升而增大,并且放电波形变得模糊不可分辨,则往往是介质内含有多种大小气泡,或是介质表面放电。如果除了上述情况,而且放电幅值随加压时间而迅速增长(可达100倍或更多),则往往是绝缘液体中的气泡放电,典型例子是油浸纸电容器的放电。







