在2022年年底格芯将把Fab 10的拥有权转让给安森美。目前Fab 10是制造和ASIC客户的90/65/45/32 22/22/14nm逻辑平台的所在地,近在RF SOI和矽光子技术领域建立了新的功能,包括利用90nm和45nm技术的矽光子产线。格芯将继续投资新加坡和伯灵顿的200mm设施,以提高在射频、嵌入式储存体和类比混合号方面的领X地位。
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4月16日,三星宣布完成5nm FinFET工艺开发,台积电则推出了6nm(N6)工艺,都将利用EUV光刻,在2020年开始投产。
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